पृथक्करण झिल्ली क्षेत्र में परमाणु परत का जमाव
अनुप्रयोग
अनुप्रयोग | खास वज़ह |
पृथक्करण झिल्ली |
छानने का काम |
गैस पृथक्करण |
काम करने का सिद्धांत
परमाणु परत जमाव (ALD) में सतह संतृप्ति रासायनिक शोषण के कारण निम्नलिखित फायदे हैं और
आत्म-सीमित प्रतिक्रिया तंत्र:
1. चक्र संख्या को नियंत्रित करके फिल्म की मोटाई को सटीक रूप से नियंत्रित करें;
2. सतह संतृप्ति के तंत्र के कारण, अग्रदूत प्रवाह की एकरूपता को नियंत्रित करने की कोई आवश्यकता नहीं है;
3. उच्च वर्दी वाली फिल्में बनाई जा सकती हैं;
4. उच्च पहलू अनुपात के साथ उत्कृष्ट चरण कवरेज।
विशेषताएँ
नमूना | एएलडी-एसएम-एक्स-एक्स |
कोटिंग फिल्म प्रणाली | अल2हे3,TiO2,ZnO, आदि |
कोटिंग तापमान रेंज | सामान्य तापमान 500 ℃ (अनुकूलन योग्य) |
कोटिंग वैक्यूम चैम्बर आकार |
आंतरिक व्यास: 1200 मिमी, ऊँचाई: 500 मिमी (अनुकूलन योग्य) |
वैक्यूम चैम्बर संरचना | ग्राहकों की आवश्यकताओं के अनुसार |
पृष्ठभूमि निर्वात | <5 × 10-7मिलीबार |
परत की मोटाई | ≥0.15 एनएम |
मोटाई नियंत्रण परिशुद्धता | ± 0.1 एनएम |
कोटिंग का आकार | 200×200mm² / 400×400mm² / 1200×1200 mm², आदि |
फिल्म मोटाई एकरूपता | ≤±0.5% |
अग्रदूत और वाहक गैस |
ट्राइमिथाइल एल्युमिनियम, टाइटेनियम टेट्राक्लोराइड, डायथाइल जिंक, शुद्ध पानी, नाइट्रोजन, आदि |
नोट: अनुकूलित उत्पादन उपलब्ध है। |
कोटिंग के नमूने
प्रक्रिया के चरण
→ निर्वात कक्ष में कोटिंग के लिए सब्सट्रेट रखें;
→ उच्च और निम्न तापमान पर निर्वात कक्ष को वैक्यूम करें, और सब्सट्रेट को समकालिक रूप से घुमाएं;
→ प्रारंभ कोटिंग: सब्सट्रेट को अनुक्रम में और एक साथ प्रतिक्रिया के बिना अग्रदूत के साथ संपर्क किया जाता है;
→ प्रत्येक प्रतिक्रिया के बाद इसे उच्च शुद्धता वाली नाइट्रोजन गैस से शुद्ध करें;
→ फिल्म की मोटाई मानक तक होने और शुद्ध करने और ठंडा करने का संचालन होने के बाद सब्सट्रेट को घुमाना बंद करें
पूरा हो गया है, फिर वैक्यूम ब्रेकिंग की स्थिति पूरी होने के बाद सब्सट्रेट को बाहर निकालें।
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