में परमाणु परत जमाव चुंबकीय प्रमुख उद्योग
अनुप्रयोग
| अनुप्रयोग | खास वज़ह |
| चुंबकीय सिर |
नॉन-प्लानर डिपोजिशन इंसुलेटिंग स्पेसिंग लेयर |
काम करने का सिद्धांत
परमाणु परत जमाव तकनीक वह है जो उन अग्रदूतों को बनाती है जो निर्देशित प्रतिक्रिया में शामिल होंगे
प्रतिक्रिया कक्ष क्रमिक रूप से (एक समय में एक अग्रदूत) विभिन्न अग्रदूत नलिकाओं के माध्यम से।संतृप्ति के माध्यम से
सब्सट्रेट की सतह पर रासायनिक शोषण, एक समय में अग्रदूत की केवल एक परत ही सोख ली जाती है।अतिरिक्त अग्रदूत
और उप-उत्पादों को अक्रिय गैसों Ar या N द्वारा शुद्ध किया जाएगा2आत्म-सीमा प्राप्त करने के लिए।
विशेषताएँ
| नमूना | एएलडी-एमएच-एक्स-एक्स |
| कोटिंग फिल्म प्रणाली | अल2हे3,TiO2,ZnO, आदि |
| कोटिंग तापमान रेंज | सामान्य तापमान 500 ℃ (अनुकूलन योग्य) |
| कोटिंग वैक्यूम चैम्बर आकार |
आंतरिक व्यास: 1200 मिमी, ऊँचाई: 500 मिमी (अनुकूलन योग्य) |
| वैक्यूम चैम्बर संरचना | ग्राहकों की आवश्यकताओं के अनुसार |
| पृष्ठभूमि निर्वात | <5 × 10-7मिलीबार |
| परत की मोटाई | ≥0.15 एनएम |
| मोटाई नियंत्रण परिशुद्धता | ± 0.1 एनएम |
| कोटिंग का आकार | 200×200mm² / 400×400mm² / 1200×1200 mm², आदि |
| फिल्म मोटाई एकरूपता | ≤±0.5% |
| अग्रदूत और वाहक गैस |
ट्राइमिथाइल एल्युमिनियम, टाइटेनियम टेट्राक्लोराइड, डायथाइल जिंक, शुद्ध पानी, नाइट्रोजन, आदि |
| नोट: अनुकूलित उत्पादन उपलब्ध है। | |
कोटिंग के नमूने
प्रक्रिया के चरण
→ निर्वात कक्ष में कोटिंग के लिए सब्सट्रेट रखें;
→ उच्च और निम्न तापमान पर निर्वात कक्ष को वैक्यूम करें, और सब्सट्रेट को समकालिक रूप से घुमाएं;
→ प्रारंभ कोटिंग: सब्सट्रेट को अनुक्रम में और एक साथ प्रतिक्रिया के बिना अग्रदूत के साथ संपर्क किया जाता है;
→ प्रत्येक प्रतिक्रिया के बाद इसे उच्च शुद्धता वाली नाइट्रोजन गैस से शुद्ध करें;
→ फिल्म की मोटाई मानक तक होने और शुद्ध करने और ठंडा करने का संचालन होने के बाद सब्सट्रेट को घुमाना बंद करें
पूरा हो गया है, फिर वैक्यूम ब्रेकिंग की स्थिति पूरी होने के बाद सब्सट्रेट को बाहर निकालें।
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