प्रकाशिकी उद्योग में परमाणु परत का जमाव
अनुप्रयोग
अनुप्रयोग | खास वज़ह |
प्रकाशिकी | ऑप्टिकल घटक |
फोटोनिक क्रिस्टल | |
इलेक्ट्रोल्यूमिनिसेंट डिस्प्ले | |
भूतल-संवर्धित रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी | |
पारदर्शी प्रवाहकीय ऑक्साइड | |
चमकदार परत, निष्क्रियता परत, फ़िल्टर सुरक्षा परत, विरोधी परावर्तक कोटिंग, विरोधी यूवी |
काम करने का सिद्धांत
परमाणु परत जमाव (ALD), जिसे मूल रूप से परमाणु परत एपिटॉक्सी कहा जाता है, जिसे परमाणु परत रासायनिक वाष्प भी कहा जाता है
निक्षेप(ALCVD), रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) का एक विशेष रूप है।यह तकनीक पदार्थ जमा कर सकती है
सतह परपरत द्वारा एकल परमाणु फिल्म परत के रूप में सब्सट्रेट का, जो सामान्य रसायन के समान है
बयान, लेकिन मेंपरमाणु परत के जमाव की प्रक्रिया, परमाणु फिल्म की एक नई परत की रासायनिक प्रतिक्रिया सीधे होती है
के साथ जुड़ेपिछली परत, ताकि इस विधि द्वारा प्रत्येक प्रतिक्रिया में परमाणुओं की केवल एक परत जमा हो।
विशेषताएँ
नमूना | एएलडी-ऑक्स-एक्स |
कोटिंग फिल्म प्रणाली | अल2हे3,TiO2,ZnO, आदि |
कोटिंग तापमान रेंज | सामान्य तापमान 500 ℃ (अनुकूलन योग्य) |
कोटिंग वैक्यूम चैम्बर आकार | आंतरिक व्यास: 1200 मिमी, ऊँचाई: 500 मिमी (अनुकूलन योग्य) |
वैक्यूम चैम्बर संरचना | ग्राहकों की आवश्यकताओं के अनुसार |
पृष्ठभूमि निर्वात | <5 × 10-7मिलीबार |
परत की मोटाई | ≥0.15 एनएम |
मोटाई नियंत्रण परिशुद्धता | ± 0.1 एनएम |
कोटिंग का आकार | 200×200mm² / 400×400mm² / 1200×1200 mm², आदि |
फिल्म मोटाई एकरूपता | ≤±0.5% |
अग्रदूत और वाहक गैस | ट्राइमिथाइल एल्युमिनियम, टाइटेनियम टेट्राक्लोराइड, डायथाइल जिंक, शुद्ध पानी, |
नोट: अनुकूलित उत्पादन उपलब्ध है। |
कोटिंग के नमूने
प्रक्रिया के चरण
→ निर्वात कक्ष में कोटिंग के लिए सब्सट्रेट रखें;
→ उच्च और निम्न तापमान पर निर्वात कक्ष को वैक्यूम करें, और सब्सट्रेट को समकालिक रूप से घुमाएं;
→ प्रारंभ कोटिंग: सब्सट्रेट को अनुक्रम में और एक साथ प्रतिक्रिया के बिना अग्रदूत के साथ संपर्क किया जाता है;
→ प्रत्येक प्रतिक्रिया के बाद इसे उच्च शुद्धता वाली नाइट्रोजन गैस से शुद्ध करें;
→ फिल्म की मोटाई मानक तक होने और शुद्ध करने और ठंडा करने का संचालन होने के बाद सब्सट्रेट को घुमाना बंद करें
पूरा हो गया है, फिर वैक्यूम ब्रेकिंग की स्थिति पूरी होने के बाद सब्सट्रेट को बाहर निकालें।
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