ALD परमाणु परत जमाव
अनुप्रयोग
| अनुप्रयोग | खास वज़ह | एएलडी सामग्री प्रकार |
| एमईएमएस डिवाइस | नक़्क़ाशीदार बाधा परत | अल2हे3 |
| सुरक्षा करने वाली परत | अल2हे3 | |
| बंधन-रोधी परत | TiO2 | |
| हाइड्रोफोबिक परत | अल2हे3 | |
| बंधन परत | अल2हे3 | |
| पहनने के लिए प्रतिरोधी परत | अल2हे3, टीआईओ2 | |
| एंटी-शॉर्ट सर्किट परत | अल2हे3 | |
| चार्ज अपव्यय परत | जेडएनओ: अल | |
| इलेक्ट्रोल्यूमिनिसेंट डिस्प्ले | चमकदार परत | जेएनएस: एमएन / एर |
| निष्क्रियता परत | अल2हे3 | |
| भंडारण सामग्री | फेरोइलेक्ट्रिक सामग्री | एचएफओ2 |
| पैरामैग्नेटिक सामग्री | गोलों का अंतर2हे3, एर2हे3, Dy₂O₃, हो2हे3 | |
| गैर-चुंबकीय युग्मन | रु, आईआर | |
| इलेक्ट्रोड | कीमती धातु | |
| आगमनात्मक युग्मन (आईसीपी) | हाई-के गेट ढांकता हुआ परत | एचएफओ2, टीआईओ2, ता2हे5, ZrO₂ |
| क्रिस्टलीय सिलिकॉन सौर बैटरी | भूतल निष्क्रियता | अल2हे3 |
| Perovskite पतली फिल्म बैटरी | बफ़र परत | ZnxMnyO |
| पारदर्शी संचालन परत | जेडएनओ: अल | |
| 3 डी पैकेजिंग | थ्रू-सिलिकॉन-वियास (टीएसवी) | क्यू, आरयू, टीआईएन |
| चमकदार आवेदन | OLED पैशन परत | अल2हे3 |
| सेंसर | निष्क्रियता परत, भराव सामग्री | अल2हे3, एसआईओ2 |
| चिकित्सा उपचार | जैव संगत सामग्री | अल2हे3, टीआईओ2 |
| संक्षारण संरक्षण परत | सतह जंग संरक्षण परत | अल2हे3 |
| ईंधन बैटरी | उत्प्रेरक | पीटी, पीडी, आरएच |
| लिथियम बैटरी | इलेक्ट्रोड सामग्री सुरक्षा परत | अल2हे3 |
| हार्ड डिस्क रीड/राइट हेड | निष्क्रियता परत | अल2हे3 |
| सजावटी कोटिंग | रंगीन फिल्म, धातुकृत फिल्म | अल2हे3, टीआईओ2 |
| विरोधी मलिनकिरण कोटिंग | कीमती धातु विरोधी ऑक्सीकरण कोटिंग | अल2हे3, टीआईओ2 |
| ऑप्टिकल फिल्में | उच्च-निम्न अपवर्तक सूचकांक |
एमजीएफ2, एसआईओ2, जेएनएस, टीआईओ2, ता2हे5, ZrO2, एचएफओ2 |
काम करने का सिद्धांत
परमाणु परत जमाव (ALD) सब्सट्रेट की सतह पर पदार्थों को जमा करने की एक विधि है
परत दर परत एकल परमाणु फिल्म का रूप।परमाणु परत का जमाव आम रासायनिक जमाव के समान है,
लेकिन प्रक्रिया मेंपरमाणु परत के जमाव की, परमाणु फिल्म की एक नई परत की रासायनिक प्रतिक्रिया सीधे होती है
पिछली परत से जुड़ा हुआ है, ताकि इस विधि से प्रत्येक प्रतिक्रिया में परमाणुओं की केवल एक परत जमा हो।
विशेषताएं
| आदर्श | ALD1200-500 |
| कोटिंग फिल्म प्रणाली | अल2हे3,TiO2,ZnO, आदि |
| कोटिंग तापमान रेंज | सामान्य तापमान 500 ℃ (अनुकूलन योग्य) |
| कोटिंग वैक्यूम चैम्बर आकार | आंतरिक व्यास: 1200 मिमी, ऊँचाई: 500 मिमी (अनुकूलन योग्य) |
| वैक्यूम चैम्बर संरचना | ग्राहकों की आवश्यकताओं के अनुसार |
| पृष्ठभूमि निर्वात | <5 × 10-7मिलीबार |
| परत की मोटाई | ≥0.15 एनएम |
| मोटाई नियंत्रण परिशुद्धता | ± 0.1 एनएम |
| कोटिंग का आकार | 200×200mm² / 400×400mm² / 1200×1200 mm², आदि |
| फिल्म मोटाई एकरूपता | ≤±0.5% |
| अग्रदूत और वाहक गैस |
ट्राइमिथाइल एल्युमिनियम, टाइटेनियम टेट्राक्लोराइड, डायथाइल जिंक, शुद्ध पानी, नाइट्रोजन, आदि (C₃H₉Al, TiCl4, C₄HZn, H2ओ, एन₂, आदि) |
| नोट: अनुकूलित उत्पादन उपलब्ध है। | |
कोटिंग के नमूने
प्रक्रिया के चरण
→ निर्वात कक्ष में कोटिंग के लिए सब्सट्रेट रखें;
→ उच्च और निम्न तापमान पर निर्वात कक्ष को वैक्यूम करें, और सब्सट्रेट को समकालिक रूप से घुमाएं;
→ प्रारंभ कोटिंग: सब्सट्रेट को अनुक्रम में और एक साथ प्रतिक्रिया के बिना अग्रदूत के साथ संपर्क किया जाता है;
→ प्रत्येक प्रतिक्रिया के बाद इसे उच्च शुद्धता वाली नाइट्रोजन गैस से शुद्ध करें;
→ फिल्म की मोटाई मानक तक होने और शुद्ध करने के संचालन के बाद सब्सट्रेट को घुमाना बंद करें
शीतलन पूरा हो गया है, फिर वैक्यूम ब्रेकिंग की स्थिति पूरी होने के बाद सब्सट्रेट को बाहर निकालें।
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